防静电放电（ESD）损伤技术培训
课程大纲
一、电子元器件抗ESD损伤的基础知识
本章介绍有关静电和静电放电的基本原理，以及对元器件损伤的主要机理和模式。主要内容有：
1.1 静电和静电放电的定义和特点;
1.2 对静电放电认识的发展历史 ;
1.3 静电的产生:1.3.1 摩擦产生静电1.3.2 感应产生静电1.3.3 静电荷1.3.4 静电势1.3.5 影响静电产生和大小的因素 ;
1.4 静电的来源:1.4.1 人体静电 1.4.2 仪器和设备的静电 1.4.3 器件本身的静电 1.4.4 其它静电来源;
1.5 静电放电的三种模式:1.5.1 带电人体的放电模式 1.5.2 带电机器的放电模式 1.5.3 充电器件的放电模式;
1.6 静电放电失效:1.6.1 失效模式 1.6.2 失效机理;
二、制造过程的防静电损伤技术
本章介绍在电子元器件制造和装配过程中，对环境的静电防护要求，以保证电子元器件在制造和装配过程中的静电安全。主要内容有：
2.1 作用和意义: 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 ;
2.2 静电对电子产品的损害: 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程;
2.3 静电防保的目的和总的原则: 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径;
2.4 静电防护材料: 2.4.1与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2静电防保材料的主要参数 ;
2.5 静电防保器材 : 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静合消除器（消电器、电中和器或离子平衡器）;
2.6 静电防保的具体措施: 2.6.1建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施;2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 ;
三、电子元器件抗ESD能力的检测及分析技术
本章介绍对电子元器件的抗ESD水平进行检测的技术。包括国内外抗ESD检测的主要标准，检测的模型和方法以及实际的一些检测结果和遇到的问题。主要内容有：
3.1 抗静电检测的作用和意义 ;
3.2 静电放电的标准波形;
3.3 抗ESD检测标准: 3.3.1 电子元器件ESDS检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容;
3.4 实际ESD检测的结果统计及分析: 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 ;
3.5 ESD检测中经常遇到的一些问题 ;
3.6 ESD损伤的失效定位分析技术: 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 ;
3.7 ESD和EOS的判别方法讨论: 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法
四、电子元器件抗ESD设计技术
本章介绍电子元器件抗ESD损伤的设计技术，主要包括抗ESD设计的主要原则、基本保护电路和最先进的大规模CMOS电路中保护电路的设计。主要内容有：
4.1 元器件抗ESD设计基础;
4.2 元器件基本抗ESD保护电路;
4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理;
4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略;
4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计;
4.6 电子设备ESD损伤途径及其保护电路设计;
4.7 工艺控制和管理;
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